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申请/专利权人：南京邮电大学
摘要：本发明公开了一种基于ScAlN_GaN的P沟道异质结场效应晶体管及其制备方法。所述场效应晶体管，包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、AlN插入层、ScAlN势垒层、GaN通道层、P型轻掺杂GaN盖帽层、N型重掺杂GaN层和P型重掺杂GaN盖帽层，所述N型重掺杂GaN层位于P型轻掺杂GaN盖帽层的一个凹栅中；所述P型重掺杂GaN盖帽层上形成栅极，所述P型轻掺杂GaN盖帽层一端形成源极，所述P型轻掺杂GaN盖帽层另一端形成漏极。本发明使用的是Sc0.18Al0.82N，与GaN没有晶格失配，提高了空穴迁移率，从而增大了开态电流。
主权项：1.一种基于ScAlN_GaN的P沟道异质结场效应晶体管，其特征在于，包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、AlN插入层、ScAlN势垒层、GaN通道层、P型轻掺杂GaN盖帽层、N型重掺杂GaN层和P型重掺杂GaN盖帽层，所述N型重掺杂GaN层位于P型轻掺杂GaN盖帽层的一个凹栅中；所述P型重掺杂GaN盖帽层上形成栅极，所述P型轻掺杂GaN盖帽层一端形成源极，所述P型轻掺杂GaN盖帽层另一端形成漏极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 基于ScAlN_GaN的P沟道异质结场效应晶体管及其制备方法
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