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申请/专利权人：日立能源有限公司

摘要：在一个实施例中，一种半导体器件1包括：·‑被配置用于至少0.6kV的电压的半导体芯片2，该半导体芯片包括位于芯片顶侧20处的顶部接触区域21，·‑与顶部接触区域21电接触的第一电布线层3，该第一电布线层具有被电分配给顶部接触区域21的第一接触区域31，·‑第二电布线层4，该第二电布线层位于第一电布线层3的远离顶部接触区域21的一侧上并且具有被电分配给顶部接触区域31的第二接触区域42，这些第二接触区域42被配置为外部接触区域，·‑至少一个第三电布线层5，至少一个第三电布线层位于第一电布线层3与第二电布线层4之间并与它们电连接并且具有第三接触区域53，·在芯片顶侧20的俯视图中所见，第二接触区域42中的至少一个以与顶部接触区域21中被分配的一个不同的方式成形。·‑半导体芯片2是功率金属绝缘体场效应晶体管MISFET或功率绝缘栅双极晶体管IGBT，·‑第一布线层3、第二布线层4和第三布线层5在每种情况下均通过由介电材料制成的绝缘层61、62、63彼此分开，并且其中，在芯片顶侧20的俯视图中所见，第二接触区域42中的第一者围绕第二接触区域42中的第二者完全延伸。

主权项：1.一种半导体器件1，所述半导体器件包括：-半导体芯片2，被配置用于至少0.6kV的电压，所述半导体芯片包括位于芯片顶侧20处的顶部接触区域21，-第一电布线层3，与所述顶部接触区域21电接触，所述第一电布线层具有被电分配给所述顶部接触区域21的第一接触区域31，-第二电布线层4，所述第二电布线层位于所述第一电布线层3的远离所述顶部接触区域21的一侧上并且具有被电分配给所述顶部接触区域31的第二接触区域42，所述第二接触区域42被配置为外部接触区域，以及-至少一个第三电布线层5，所述至少一个第三电布线层位于所述第一电布线层3与所述第二电布线层4之间并与所述第一电布线层3和所述第二电布线层4电连接，并且具有第三接触区域53，其中，-在所述芯片顶侧20的俯视图中所见，所述第二接触区域42中的至少一个第二接触区域以与所述顶部接触区域21中被分配的一个顶部接触区域不同的方式成形，-所述半导体芯片2是功率金属绝缘体场效应晶体管MISFET或功率绝缘栅双极晶体管IGBT，-所述第一、第二和第三布线层3、4、5在每种情况下均通过由介电材料制成的绝缘层61、62、63彼此分开，并且-在所述芯片顶侧20的俯视图中所见，所述第二接触区域42中的第一者围绕所述第二接触区域42中的第二者完全延伸。

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