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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日：2023-11-27
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN221282581U
主分类号：H01S5/028
分类号：H01S5/028
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权
摘要：本实用新型公开了一种小功率GaN激光二极管，包括外延层、欧姆接触层、绝缘层、P电极和N电极，N电极设置在外延层的下方，欧姆接触层和P电极依次设置在外延层的上方，外延层的上方设置脊结构，绝缘层位于P电极和外延层之间，且绝缘层覆盖于脊结构的侧壁；欧姆接触层为ITO薄膜层，绝缘层为SiO2绝缘层。本实用新型通过在光刻胶和绝缘层之间设置Ag薄膜为界面层，利用Ag氧化变色的特性，层间区别明显，实现精准控制，避免过蚀刻或者蚀刻不干净现象的产生，以实现高精细度的开孔，形成电极连接，有利于降低生产难度，提高生产效率和良品率。
主权项：1.一种小功率GaN激光二极管，包括外延层1、欧姆接触层2、绝缘层3、P电极7和N电极8，其特征在于，N电极8设置在外延层1的下方，欧姆接触层2和P电极7依次设置在外延层1的上方，外延层1的上方设置脊结构，绝缘层3位于P电极7和外延层1之间，且绝缘层3覆盖于脊结构的侧壁；欧姆接触层2为ITO薄膜层，绝缘层3为SiO2绝缘层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种小功率GaN激光二极管
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