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申请/专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
申请日：2020-09-18
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN112582394B
主分类号：H01L27/02
分类号：H01L27/02;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78
优先权：["20190927 US 16/585,437"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2021.04.16#实质审查的生效;2021.03.30#公开
摘要：本发明公开了一种开关速度可调的绝缘栅双极晶体管IGBT与超结金属‑氧化物半导体场效应晶体管MOSFET组合器件，具体公开了一种器件包括一个绝缘栅双极晶体管；以及一个超级结金属‑氧化物半导体场效应晶体管，其中绝缘栅双极晶体管和超级结金属‑氧化物半导体场效应晶体管是结构耦合的，并且其中配置超级结金属‑氧化物半导体场效应晶体管从“断开”状态切换到“接通”状态以及从“接通”状态切换到“断开”状态。
主权项：1.一种开关速度可调的组合器件，包括：一个绝缘栅双极晶体管；以及一个超级结金属-氧化物半导体场效应晶体管，其中绝缘栅双极晶体管的发射极和超级结金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极导电耦合，绝缘栅双极晶体管的集电极和超级结金属-氧化物半导体场效应晶体管的漏极导电耦合，绝缘栅双极晶体管的栅极和超级结金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极导电耦合，并且其中配置超级结金属-氧化物半导体场效应晶体管，从“断开”状态切换到“接通”状态以及从“接通”状态切换到“断开”状态，都比绝缘栅双极晶体管更慢，所述超级结金属-氧化物半导体场效应晶体管带有修正的小信号反向传导电容CRSS，用于开关速度控制。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 万国半导体国际有限合伙公司 开关速度可调的IGBT与超结MOSFET组合器件
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