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申请/专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
摘要：一种RC‑IGBT器件及终端结构，涉及半导体器件技术领域，终端结构包括漂移区、至少一个场限环、缓冲层以及第一掺杂区；漂移区具有第二导电类型，漂移区用于在终端结构处于正向耐压过程中作为耗尽区；场限环形成在漂移区上，具有第一导电类型；缓冲层位于漂移区的下方，缓冲层具有第二导电类型，缓冲层用于在器件处于正向耐压过程中作为场截止层，缓冲层的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度；第一掺杂区位于缓冲层的下方，第一掺杂区具有第一导电类型，第一掺杂区用于降低缓冲层附近的电场强度。本申请可以降低所述缓冲层附近的电场强度，在器件关断时，减小了第一掺杂区附近的电流密度，增强了器件的电流关断能力和抗动态雪崩能力。
主权项：1.一种RC-IGBT器件的终端结构，其特征在于，所述终端结构包括漂移区1、至少一个场限环2、缓冲层4以及第一掺杂区3；漂移区1具有第二导电类型，所述漂移区1用于在所述终端结构处于正向耐压过程中作为耗尽区；所述场限环2形成在所述漂移区1上，具有第一导电类型；所述缓冲层4位于所述漂移区1的下方，所述缓冲层4具有第二导电类型，所述缓冲层4用于在所述终端结构处于正向耐压过程中作为场截止层，所述缓冲层4的掺杂浓度大于所述漂移区1的掺杂浓度；所述第一掺杂区3位于所述缓冲层4的下方，所述第一掺杂区3具有第一导电类型，所述第一掺杂区3用于降低所述缓冲层4附近的电场强度；所述第一导电类型和第二导电类型属于不同的半导体导电类型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市美浦森半导体有限公司 一种RC-IGBT器件及终端结构
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