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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2020-02-21
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN111640663B
主分类号：H01L21/3065
分类号：H01L21/3065;H01J37/32
优先权：["20190301 JP 2019-037737"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2021.12.17#实质审查的生效;2020.09.08#公开
摘要：本发明提供基片处理方法和基片处理装置。本发明提供一种处理基片的基片处理方法，其中，该基片包括：由过渡金属形成的具有开口部的掩模；和形成于上述掩模之下的含硅的被蚀刻膜，该基片处理方法包括用混合气体生成的等离子体通过上述掩模的开口部蚀刻上述被蚀刻膜的步骤，其中上述混合气体是在含卤素气体中添加具有羰基键的气体而得到的混合气体。
主权项：1.一种基片处理方法，其用于处理基片，所述基片处理方法的特征在于：所述基片包括：由过渡金属形成的具有开口部的掩模；和形成于所述掩模之下的含硅的被蚀刻膜，所述基片处理方法包括：将所述基片冷却至预先决定的温度以下的步骤；和用混合气体生成的等离子体通过所述掩模的开口部蚀刻所述被蚀刻膜的步骤，其中所述混合气体是在含卤素气体中添加具有羰基键的气体而得到的混合气体，所述预先决定的温度是比与所述蚀刻被蚀刻膜的步骤中的压力设定值对应的所述过渡金属的一氧化碳配合物的蒸气压曲线所示的温度低的温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 基片处理方法
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