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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明提供一种抑制掩模图案的偏差的处理方法和基板处理装置。所述处理方法具有：第一工序，在被蚀刻膜上使沉积物沉积于图案化的掩模层；以及第二工序，去除所述掩模层的一部分和所述沉积物的一部分中的至少任一方，在该处理方法中，将所述第一工序和所述第二工序重复一次以上，使所述掩模层的图案的侧面的锥角成为期望的角度。
主权项：1.一种处理方法，包括：提供具有设置在基板表面上的掩膜层的基板，所述掩膜层具有延伸穿过该掩膜层的第一孔和第二孔，所述第一孔的开口大于所述第二孔的开口；通过使用CH4气体、H2气体、Ar气体、N2气体、CH3F气体、CH2F2气体和C4F8气体中的至少一种气体的等离子体，在所述第一孔的侧面上沉积第一沉积物并在所述第二孔的侧面上沉积第二沉积物的第一工序，所述第一沉积物具有比所述第二沉积物更大的最大厚度；通过使用CO2气体、CH4气体和CO气体中的至少一种气体的等离子体，将所述第一沉积物和所述第二沉积物的厚度各自减小大致相同的量的第二工序，以及将所述第一工序和所述第二工序重复一次以上，使所述第一孔的侧面的锥角和所述第二孔的侧面的锥角均在指定的角度范围内，并减小所述第一孔的开口和所述第二孔的开口的尺寸的偏差。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 处理方法和基板处理装置
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