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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

摘要：本发明提供被处理体的处理方法和等离子体处理装置。所述被处理体的处理方法使用等离子体处理装置对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具备：处理容器；载置台，其在处理容器内载置被处理体；外周构件，其配置于载置台的周围；以及第一电压施加装置，其向外周构件施加电压，所述被处理体的处理方法包括以下工序：准备被处理体，被处理体具有被蚀刻膜和形成在被蚀刻膜上的图案化的掩模；以及对掩模进行处理，其中，对掩模进行处理的工序包括以下工序：将包含第一稀有气体的第一处理气体供给至处理容器的工序；以及第一等离子体处理工序，一边向外周构件施加直流电压，一边利用第一处理气体的等离子体对位于被处理体的外周部的掩模进行处理。

主权项：1.一种被处理体的等离子体蚀刻方法，使用等离子体蚀刻装置对被处理体进行处理，所述等离子体蚀刻装置具备：处理容器；载置台，其在所述处理容器内载置被处理体；外周构件，其配置于所述载置台的周围；第一电压施加装置，其向所述外周构件施加电压；上部电极，其与所述载置台相向；第二电压施加装置，其向所述上部电极施加电压；以及高频电源，其向作为下部电极的所述载置台施加高频电力来在所述下部电极与所述上部电极之间生成电容耦合等离子体，所述被处理体的等离子体蚀刻方法包括以下工序：准备所述被处理体，所述被处理体具有被蚀刻膜和形成在所述被蚀刻膜上的图案化的掩模；对所述掩模进行处理；以及在对所述掩模进行处理的工序之后，对所述被蚀刻膜进行蚀刻的蚀刻工序，其中，对所述掩模进行处理的工序包括以下工序：将包含第一稀有气体的第一处理气体供给至所述处理容器的工序；第一等离子体处理工序，一边对所述外周构件施加直流电压，一边利用所述第一处理气体的等离子体对位于所述被处理体的外周部的所述掩模进行处理；将包含第二稀有气体的第二处理气体供给至所述处理容器；以及第二等离子体处理工序，一边对所述上部电极施加直流电压，一边利用所述第二处理气体的等离子体对位于所述被处理体的中心部和外周部的所述掩模进行处理，在对所述掩模进行处理的工序中，执行所述第二等离子体处理工序，在执行所述第二等离子体处理工序之后，执行所述第一等离子体处理工序，所述蚀刻工序包括以下工序：将第三处理气体供给至所述处理容器；以及利用所述第三处理气体的等离子体进行处理。

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