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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明提供提高基片支承部的温度控制效率的基片处理装置和基片支承部。基片处理装置包括：处理容器；配置在上述处理容器内的基片支承部；和至少向上述基片支承部供给RF电功率的电源，上述基片支承部包括：静电吸盘，其由陶瓷形成，通过静电吸附来保持被处理基片；基座，其具有供热交换介质流动的流路，支承上述静电吸盘；低线膨胀系数部件，其设置在上述静电吸盘与上述基座之间；传热片，其设置在上述低线膨胀系数部件与上述基座之间；固定部，其将上述传热片固定于上述低线膨胀系数部件；和导电性部件，其设置在上述低线膨胀系数部件与基座之间，将上述低线膨胀系数部件与基座电连接。
主权项：1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：处理容器；配置在所述处理容器内的基片支承部；和至少向所述基片支承部供给RF电功率的电源，所述基片支承部包括：静电吸盘，其由陶瓷形成，通过静电吸附来保持被处理基片；基座，其具有供热交换介质流动的流路，支承所述静电吸盘；低线膨胀系数部件，其设置在所述静电吸盘与所述基座之间；传热片，其设置在所述低线膨胀系数部件与所述基座之间；固定部，其将所述传热片固定于所述低线膨胀系数部件；和导电性部件，其设置在所述低线膨胀系数部件与基座之间，将所述低线膨胀系数部件与基座电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片支承部
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