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申请/专利权人：深圳技术大学
摘要：本发明公开了一种高电光耦合效率的硅基片上量子点发光器件及其制备方法，该器件包括依次相接的硅基片、第一透明绝缘层、氮化硅波导层、第一电极层、空穴传输层、量子点层、电子传输层、第二电极层；第二透明绝缘层将氮化硅波导层、第一电极层、空穴传输层、量子点层和电子传输层包围；第一电极层的部分通过第二透明绝缘层上的第一凹槽暴露出来；第一电极层的厚度为100～200nm；第二电极层的厚度为100～200nm；空穴传输层的厚度为40～100nm；电子传输层的厚度为20～80nm；量子点层的厚度为10～30nm。将第一电极层、空穴传输层和电子传输层、第二电极层分别设置在量子点层的上下两侧，并优化器件各层的厚度，能够使更多的光能量进入氮化硅波导层，增大出光率，从而实现高效的硅基片上光源。
主权项：1.一种高电光耦合效率的硅基片上量子点发光器件，其特征在于，包括硅基片1、第一透明绝缘层61、氮化硅波导层2、第一电极层31、空穴传输层41、量子点层5、电子传输层42、第二电极层32、第二透明绝缘层62；所述硅基片1、第一透明绝缘层61、氮化硅波导层2、第一电极层31、空穴传输层41、量子点层5、电子传输层42、第二电极层32依次相接；所述第二透明绝缘层62与所述第一透明绝缘层61相接，并且将所述氮化硅波导层2、第一电极层31、空穴传输层41、量子点层5和电子传输层42包围；所述第二透明绝缘层62上设有至少一个第一凹槽621，所述第一电极层31的部分通过所述第一凹槽621暴露出来；其中，所述第一电极层31的厚度为100～200nm；所述第二电极层32的厚度为100～200nm；所述空穴传输层的厚度为40～100nm；所述电子传输层的厚度为20～80nm，所述量子点层5的厚度为10～30nm。
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权利要求：
百度查询： 深圳技术大学 高电光耦合效率的硅基片上量子点发光器件及其制备方法
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