申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

申请日：2021-08-30

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN114546024B

主分类号：G05F3/26

分类号：G05F3/26

优先权：["20201124 JP 2020-194339"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2022.06.14#实质审查的生效;2022.05.27#公开

摘要：半导体集成电路具备：p沟道型的第一晶体管，源极与第一电压节点电连接，栅极与第二电压节点电连接；n沟道型的第二晶体管，源极与第三电压节点电连接，栅极与第二电压节点电连接；耗尽型的n沟道型的第三晶体管，被电连接于第一晶体管的漏极与第二晶体管的漏极之间；p沟道型的第四晶体管，源极与第一电压节点电连接，栅极与第二晶体管的漏极和第三晶体管的源极之间的第一输出节点电连接；n沟道型的第五晶体管，源极与第三电压节点电连接，栅极与第四晶体管的栅极电连接，漏极与第四晶体管的漏极电连接；以及p沟道型的第六晶体管，栅极被供给从第四晶体管的漏极与第五晶体管的漏极之间的第二输出节点输出的电压，源极与第一电压节点电连接。

主权项：1.一种半导体集成电路，具备：p沟道型的第一晶体管，源极与被供给第一电压的第一电压节点电连接，栅极与被供给第二电压的第二电压节点电连接；n沟道型的第二晶体管，源极与被供给第三电压的第三电压节点电连接，栅极与所述第二电压节点电连接；耗尽型的n沟道型的第三晶体管，被电连接于所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极之间；p沟道型的第四晶体管，源极与所述第一电压节点电连接，栅极与第一输出节点电连接，该第一输出节点是所述第二晶体管的漏极与所述第三晶体管的源极之间的节点；n沟道型的第五晶体管，源极与所述第三电压节点电连接，栅极与所述第四晶体管的栅极电连接，漏极与所述第四晶体管的漏极电连接；p沟道型的第六晶体管，栅极被供给从第二输出节点输出的电压，源极与所述第一电压节点电连接，该第二输出节点是所述第四晶体管的漏极与所述第五晶体管的漏极之间的节点；以及迟滞电路，与所述第一输出节点电连接，降低在所述第一输出节点的电压中产生的振动。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社东芝 东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体集成电路

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