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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要：本公开涉及具有邻近器件沟道的竖直渐变硅锗区的IC器件及形成方法。公开了一种集成电路IC器件，其包括位于衬底上方的第一晶体管。第一晶体管包括位于衬底上方且在源极区和漏极区之间的栅极。晶体管还包括与栅极下方的沟道的第一侧相邻的第一竖直渐变硅锗SiGe区，以及与沟道的第二侧相邻的第二竖直渐变SiGe区。沟道包括基本均匀渐变的SiGe。
主权项：1.一种集成电路IC器件，包括：衬底；以及位于所述衬底上方的第一晶体管，其包括：栅极，其位于所述衬底上方且在源极区和漏极区之间；与所述栅极下方的沟道的第一侧相邻的第一竖直渐变硅锗SiGe区；以及与所述沟道的第二侧相邻的第二竖直渐变SiGe区，其中，所述沟道包括基本均匀渐变的SiGe。
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百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 具有邻近器件沟道的竖直渐变硅锗区的IC器件及形成方法
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