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申请/专利权人：阔斯泰有限责任公司
申请日：2023-12-26
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299323A
主分类号：H01L21/687
分类号：H01L21/687;C30B25/12
优先权：["20221227 JP 2022-209503","20231116 JP 2023-195058"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明提供一种具有耐裂纹性、被热处理的Si晶片、SiC晶片能够保持其品质并且基座自身的使用寿命长的半导体热处理部件。该半导体热处理部件在基材表面具有多个SiC膜，其中，所述SiC膜具有由3C‑SiC和2H‑SiC构成的晶体，所述3C‑SiC在111、311、200、220、222具有峰，所述2H‑SiC在101、103具有峰，从基材侧起依次包含所述晶体的X射线衍射峰强度不同的第一SiC层和第二SiC层这至少两层。
主权项：1.一种半导体热处理部件，其特征在于，在基材表面具有多个SiC膜，其中，所述SiC膜具有由3C-SiC和2H-SiC构成的晶体，所述3C-SiC在111、311、200、220、222具有峰，所述2H-SiC在101、103具有峰，从基材侧起依次包含所述晶体的X射线衍射峰强度不同的第一SiC层和第二SiC层这至少两层。
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皖公网安备 34010402703815号