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申请/专利权人：芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司
申请日：2024-04-07
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299403A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明提供一种超结半导体器件及其制造方法，超结半导体器件包括：衬底；外延层，形成于所述衬底上，所述外延层包括多层堆叠的子外延层；第一离子掺杂柱，从所述外延层的表面延伸至所述外延层的内部，所述外延层和所述第一离子掺杂柱具有第一导电类型，且所述第一离子掺杂柱的掺杂浓度小于所述外延层的掺杂浓度；第二离子掺杂柱，从所述外延层的表面延伸至所述外延层的内部，所述第一离子掺杂柱包裹所述第二离子掺杂柱，所述第二离子掺杂柱具有第二导电类型。本发明的技术方案使得能够减小反向恢复时间。
主权项：1.一种超结半导体器件，其特征在于，包括：衬底；外延层，形成于所述衬底上，所述外延层包括多层堆叠的子外延层；第一离子掺杂柱，从所述外延层的表面延伸至所述外延层的内部，所述外延层和所述第一离子掺杂柱具有第一导电类型，且所述第一离子掺杂柱的掺杂浓度小于所述外延层的掺杂浓度；第二离子掺杂柱，从所述外延层的表面延伸至所述外延层的内部，所述第一离子掺杂柱包裹所述第二离子掺杂柱，所述第二离子掺杂柱具有第二导电类型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司 超结半导体器件及其制造方法
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