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申请/专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日：2023-01-04
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299412A
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L21/335
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.07.05#公开
摘要：本申请实施例提供了一种氮化镓器件及氮化镓器件的制作方法，氮化镓器件包括：至少两层组合层，最上层的组合层上设置有栅电极，栅电极的下方具有多个不同深度的栅极凹槽，栅极凹槽内填充有P型氮化镓，可以从调制器件栅下的载流子速场关系、栅源电容入手提升器件线性度特征，以解决相关技术中引入寄生电容限制频率特性、实现难度大、高，难以大批量应用的问题。
主权项：1.一种氮化镓器件，其特征在于，所述氮化镓器件包括：至少两层组合层，最上层的所述组合层上设置有栅电极；所述栅电极的下方具有多个不同深度的栅极凹槽，所述栅极凹槽内填充有P型氮化镓。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中兴通讯股份有限公司 一种氮化镓器件及氮化镓器件的制作方法
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