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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日：2022-08-25
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN115411091B
主分类号：H01L29/08
分类号：H01L29/08;H01L29/10;H01L27/088;H01L21/8234
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2022.12.16#实质审查的生效;2022.11.29#公开
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，结构包括：衬底，衬底包括第一有源区和第二有源区；沟道层，沟道层位于衬底表面；第一栅极以及第二栅极，第一栅极位于第一有源区的部分沟道层上方，第二栅极位于第二有源区的部分沟道层上方；第一半导体层，第一半导体层位于第一栅极的两侧，且嵌入沟道层以及衬底内，第一半导体层的材料与沟道层的材料相同；第二半导体层，第二半导体层位于第二栅极的两侧，且嵌入沟道层以及衬底内，第二半导体层的材料与沟道层的材料不同，以提升晶体管的载流子迁移率。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括第一有源区和第二有源区，所述衬底的材料为硅；沟道层，所述沟道层位于所述衬底表面，所述沟道层的材料包括晶体锗硅；第一栅极以及第二栅极，所述第一栅极位于所述第一有源区的部分所述沟道层上方，所述第二栅极位于所述第二有源区的部分所述沟道层上方；第一半导体层，所述第一半导体层位于所述第一栅极的两侧，且嵌入所述沟道层以及所述衬底内，所述第一半导体层的材料与所述沟道层的材料相同，所述第一半导体层中锗元素的含量大于所述沟道层中的锗元素含量；第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第二栅极的两侧，且嵌入所述沟道层以及所述衬底内，所述第二半导体层的材料与所述沟道层的材料不同，所述第二半导体层的材料为碳化硅；其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层的顶面均高于所述沟道层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的底面均低于所述沟道层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制作方法
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