龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日：2023-07-06
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118265310A
主分类号：H10B80/00
分类号：H10B80/00;H01L23/544
优先权：["20221228 KR 10-2022-0186708"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本公开涉及一种半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置可以包括：基板，其包括芯片区域和划片道区域，划片道区域被设置在芯片区域之间；第一堆叠，其被设置在划片道区域中并且包括交替地堆叠的第一材料层和第二材料层；以及对准键，其被设置在第一堆叠内，对准键分别包括从第一堆叠的上表面突出的第一突出部分。
主权项：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基板，所述基板包括多个芯片区域和划片道区域，其中，所述划片道区域被设置在所述芯片区域之间；第一堆叠，所述第一堆叠被设置在所述芯片区域之间，并且包括交替地堆叠的第一材料层和第二材料层；以及对准键，所述对准键被设置在所述第一堆叠内，并且包括从所述第一堆叠的上表面突出的第一突出部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体装置和制造半导体装置的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号