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申请/专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日：2023-12-20
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263210A
主分类号：H01L23/48
分类号：H01L23/48;H01L23/482;H01L21/768;H01L21/60
优先权：["20221226 JP 2022-208885"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本公开提供一种能实现小型化的半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置具有：基板，具有第一面和与第一面相对的第二面；第一氮化物半导体层，具有与第二面相接的第三面和与第三面相对的第四面，在第四面形成有凹部；第二氮化物半导体层，设于凹部；以及第一金属层，设于第二氮化物半导体层之上，在基板、第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层形成有贯通孔，该贯通孔贯通基板、第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层，供第一金属层露出，半导体装置具有第二金属层，该第二金属层与第一金属层相接，并且覆盖第一面和贯通孔的内壁面，第二氮化物半导体层以1.0×1018cm‑3以上的浓度含有杂质原子。
主权项：1.一种半导体装置，具有：基板，具有第一面和与所述第一面相对的第二面；第一氮化物半导体层，具有与所述第二面相接的第三面和与所述第三面相对的第四面，在所述第四面形成有凹部；第二氮化物半导体层，设于所述凹部；以及第一金属层，设于所述第二氮化物半导体层之上，在所述基板、所述第一氮化物半导体层以及所述第二氮化物半导体层形成有贯通孔，该贯通孔贯通所述基板、所述第一氮化物半导体层以及所述第二氮化物半导体层，供所述第一金属层露出，所述半导体装置具有第二金属层，该第二金属层与所述第一金属层相接，并且覆盖所述第一面和所述贯通孔的内壁面，所述第二氮化物半导体层以1.0×1018cm-3以上的浓度含有杂质原子。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 住友电工光电子器件创新株式会社 半导体装置和半导体装置的制造方法
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