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申请/专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日：2023-12-25
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263305A
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L21/335
优先权：["20221226 JP 2022-208886"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供能实现小型化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：第一氮化物半导体层，具有第一面，在所述第一面形成有第一凹部；第二氮化物半导体层，设于所述第一凹部；第一绝缘膜，覆盖所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层，形成有供所述第二氮化物半导体层的至少一部分露出的第一开口部；以及布线层，从所述第一开口部通过而与所述第二氮化物半导体层欧姆接触，所述第二氮化物半导体层具有与所述布线层对置的第二面，在所述第二面形成有与所述第一开口部相连的第二凹部，所述布线层在所述第二凹部的内面与所述第二氮化物半导体层直接接触。
主权项：1.一种半导体装置，具有：第一氮化物半导体层，具有第一面，在所述第一面形成有第一凹部；第二氮化物半导体层，设于所述第一凹部；第一绝缘膜，覆盖所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层，形成有供所述第二氮化物半导体层的至少一部分露出的第一开口部；以及布线层，从所述第一开口部通过而与所述第二氮化物半导体层欧姆接触，所述第二氮化物半导体层具有与所述布线层对置的第二面，在所述第二面形成有与所述第一开口部相连的第二凹部，所述布线层在所述第二凹部的内面与所述第二氮化物半导体层直接接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 住友电工光电子器件创新株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法
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