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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2021-04-19
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN114628531B
主分类号：H01L31/02
分类号：H01L31/02;H01L31/024;H01L31/18
优先权：["20210222 US 17/181,205"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2022.07.01#实质审查的生效;2022.06.14#公开
摘要：一种半导体构造包括位于光学装置之上的第一介电层。第一金属化层位于所述第一介电层之上，且第一导电线位于所述第一金属化层中。第一导电通孔位于所述第一金属化层中且接触所述第一导电线。第二金属化层位于所述第一金属化层之上。第二导电线位于所述第二金属化层中且在第一界面处接触所述第一导电通孔。加热器位于所述光学装置之上且具有低于所述第一界面的最下表面及高于所述第一界面的最上表面。
主权项：1.一种半导体构造，其中，包括：第一介电层，位于光学装置之上；第一金属化层，位于所述第一介电层之上；第一导电线，位于所述第一金属化层中；第一导电通孔，位于所述第一金属化层中，接触所述第一导电线；第二金属化层，位于所述第一金属化层之上；第二导电线，位于所述第二金属化层中，在第一界面处接触所述第一导电通孔；以及加热器，位于所述光学装置之上，具有低于所述第一界面的最下表面及高于所述第一界面的最上表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体构造及制作方法
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