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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-03-28
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231469A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供一种沟槽型超级结器件及其制作方法，衬底表面依次形成有外延层一和外延层二，外延层一的掺杂浓度大于外延层二的掺杂浓度；多个平行的沟槽穿通外延层二并延伸至外延层一中；沟槽中形成有第二导电类型的填充外延层。本发明在衬底上形成双外延层结构，将衬底与填充外延层之间的外延层一缓冲区域掺杂浓度加浓，外延层一的掺杂浓度大于外延层二的掺杂浓度，达到降低导通电阻的目的。沟槽中的填充外延层延伸进入外延层一中一定深度，外延层一的掺杂浓度较大，达到超级结耗尽区域长度一致效果，击穿电压不受沟槽V深度影响或受沟槽V深度影响很小，实现击穿电压稳定的同时，降低导通电阻。实现方法简易且可操作性强，增强了器件能力。
主权项：1.一种沟槽型超级结器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底表面依次形成有外延层一和外延层二，所述外延层一的掺杂浓度大于所述外延层二的掺杂浓度，所述外延层一和所述外延层二均为第一导电类型；多个平行的沟槽穿通所述外延层二并延伸至所述外延层一中；所述沟槽中形成有第二导电类型的填充外延层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 沟槽型超级结器件及其制作方法
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