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分立式功率半导体器件封装结构及封装方法 

申请/专利权人:重庆平创半导体研究院有限责任公司

申请日:2024-03-04

公开(公告)日:2024-06-11

公开(公告)号:CN118173527A

主分类号:H01L23/495

分类号:H01L23/495;H01L23/367;H01L21/48

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开

摘要:本发明涉及功率半导体技术领域,具体公开了分立式功率半导体器件封装结构及封装方法,其中结构包括:半导体芯片、金属引线框架,还包括门极键合线、异形金属引脚、塑封体、第一电热金属连接件、第二电热金属连接件和DCB;半导体芯片焊接在金属引线框架上;第一电热金属连接件焊接在半导体芯片上;第二电热金属连接件焊接在异形金属引脚上;电路刻蚀层焊接在第一电热金属连接件和第二电热金属连接件上;门极键合线分别连接第一电热金属连接件和第二电热金属连接件。采用本发明的技术方案能够实现双面散热,可适用于650V以上的高压应用工况,尤其适用于碳化硅芯片的封装。

主权项:1.分立式功率半导体器件封装结构,包括半导体芯片、金属引线框架,其特征在于,还包括门极键合线、异形金属引脚、塑封体、第一电热金属连接件、第二电热金属连接件和DCB;DCB包括从下至上连接的电路刻蚀层、绝缘陶瓷层和顶部焊接层;半导体芯片焊接在金属引线框架上;第一电热金属连接件焊接在半导体芯片上;第二电热金属连接件焊接在异形金属引脚上;电路刻蚀层焊接在第一电热金属连接件和第二电热金属连接件上;门极键合线分别连接第一电热金属连接件和第二电热金属连接件;塑封体用于将半导体芯片、金属引线框架、异形金属引脚、第一电热金属连接件、第二电热金属连接件和DCB封装固定。

全文数据:

权利要求:

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