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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要：本发明属于MOSFET器件技术，特别涉及一种单埋藏栅功率MOSFET结构及其制备方法，结构包括n+衬底、n‑漂移区、多晶硅、氧化层、P‑body区、P+区、n+区，n‑漂移区设置在n+衬底上，在n‑漂移区顶部的一角切割出一个矩形区域用于设置多晶硅，并通过氧化层将多晶硅与其他区域进行隔离，n+区设置在氧化层上且边缘与氧化层边缘平齐，P‑body区设置在n‑漂移区上表面并覆盖部分氧化层，P+区设置在P‑body区上表面，P+区和P‑body区高度之和与n+区等高，n+衬底底部进行金属化作为漏极，多晶硅侧面进行金属化作为栅极，n+区和部分P+区表面进行金属化作为源极；本发明具有更小的台面面积。
主权项：1.一种单埋藏栅功率MOSFET结构，其特征在于，包括n+衬底、n-漂移区、多晶硅、氧化层、P-body区、P+区、n+区，n-漂移区设置在n+衬底上，在n-漂移区顶部的一角切割出一个矩形区域用于设置多晶硅，并通过氧化层将多晶硅与其他区域进行隔离，n+区设置在氧化层上且边缘与氧化层边缘平齐，P-body区设置在n-漂移区上表面并覆盖部分氧化层，P+区设置在P-body区上表面，P+区和P-body区高度之和与n+区等高，n+衬底底部进行金属化作为漏极，多晶硅侧面进行金属化作为栅极，n+区和部分P+区表面进行金属化作为源极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种单埋藏栅功率MOSFET结构及其制备方法
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