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申请/专利权人：无锡市乾野微纳科技有限公司
摘要：本实用新型涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种MOSFET芯片封装结构，包括：芯片与导热材质制成的底板，所述芯片的顶部通过铜带与第一源极引脚进行连接，所述铜带通过树脂与第一源极引脚相连，所述芯片的底部的导电端与第二源极引脚相连，所述芯片的底部通过树脂与第二源极引脚相连，所述底板的顶部设有多个透气内孔，透气内孔通过透气通道与透气外孔相连，透气外孔设置在底部的端面上，底部的顶部设有防护框，防护框活动连接外壳，可通过底板，将芯片产生的热量进行传递，提高封装结构的散热性能，并通过设置透气内孔与透气外孔，利用透气通道将其进行相通，可将芯片底部产生的热量通过透气内孔传送到透气外孔中，提高封装结构的散热性能。
主权项：1.一种MOSFET芯片封装结构，其特征在于，包括：芯片7与导热材质制成的底板1，所述芯片7的顶部通过铜带9与第一源极引脚3进行连接，所述铜带9通过树脂与第一源极引脚3相连，所述芯片7的底部的导电端与第二源极引脚4相连，所述芯片7的底部通过树脂与第二源极引脚4相连，所述第一源极引脚3与第二源极引脚4分别安装在底板1顶部的两端，所述底板1的顶部设有多个透气内孔10，所述透气内孔10通过透气通道11与透气外孔5相连，所述透气外孔5设置在底板1的端面上，所述底板1的顶部设有防护框6，所述外壳2与防护框6之间通过树脂粘合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡市乾野微纳科技有限公司 一种MOSFET芯片封装结构
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