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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种多沟道沟槽型MOSFET及其制备方法，涉半导体技术领域。本发明通过特殊的结构设计，在不增加额外工艺步骤的条件下，创新型的在沟槽间隔区域形成P+沟道区、N‑耐压区、P+沟道区的结构，通过控制该结构中P+沟道区、N‑耐压区、P+沟道区的宽度和掺杂浓度，器件栅极不加电压，N‑耐压区被两侧P+沟道区完全耗尽，呈阻断状态，器件栅极加正电压，N‑耐压区从完全耗尽状态转变为正常导通状态，形成除栅氧下方反型层导电沟道之外的额外导电通道，进而减小沟槽型MOSFET的单位面积导通电阻。
主权项：1.一种多沟道沟槽型MOSFET的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S100，在外延片（1）内制备若干间隔的P+沟道层（2），P+沟道层（2）间隔区域内N-耐压层（12）被完全耗尽；步骤S200，在外延片（1）内制备N+层（3）；步骤S300，在外延片（1）内制备若干沟槽（4）；步骤S400，在沟槽（4）内依次制备栅介质（5）和多晶硅（6）；步骤S500，在外延片（1）上沉积隔离层（7），并在N+层（3）和多晶硅（6）处开窗，分别制备S极电极（8）和G极电极（9）；步骤S600，在外延片底部制备D极电极（10），整个器件制备完毕。
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权利要求：
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