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申请/专利权人：康姆艾德公司
摘要：一种射频RF功率放大器，其包括至少一个场效应晶体管FET，其中，该至少一个FET的源极端子接地。包括至少一个二极管，其中，所述至少一个二极管的阴极连接到所述至少一个FET的漏极端子，并且所述至少一个二极管的阳极接地。输出网络连接到所述至少一个FET的漏极端子。输入网络连接到所述至少一个FET的栅极端子。
主权项：1.一种射频RF功率放大器，其包括：至少两个场效应晶体管FET，被配置为：用不相等相位的输入信号来驱动，并且以推挽式布置连接，其中，所述至少两个FET的每个源极端子接地；至少一个二极管，其中，所述至少一个二极管的阴极连接到所述至少两个FET的其中一个的漏极端子，并且所述至少一个二极管的阳极接地；以及阻抗匹配输出网络，其连接到所述至少两个FET的漏极端子；阻抗匹配输入网络，其连接到所述至少两个FET的栅极端子，其中，所述二极管具有比所述至少两个FET的体二极管低的阈值电压。
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