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申请/专利权人：复旦大学

摘要：本发明属于板级封装领域，具体涉及一种SiCMOSFET板级封装半桥模块及其封装方法。封装半桥模块采用两颗SiCMOSFET芯片来组成组成半桥结构，SiCMOSFET的漏极通过有压烧结材料与底部小基板相连，SiCMOSFET通过重互连层与对应焊盘或者基板相连接。本发明的优点在于，使用有压烧结材料进行固晶，烧结固晶层的熔点较高，接近于银、铜金属的熔点，并且固晶层的连接强度高，牢固可靠，可以有效地提高SiCMOSFET半桥模块的可靠性。

主权项：1.一种SiCMOSFET板级封装半桥模块的封装方法，其特征在于，封装流程步骤如下：（1）准备镂空框架，镂空框架上的镂空区域根据实际需求设置；（2）使用有压烧结技术将SiCMOSFET芯片通过有压烧结材料焊接至小基板上，形成“芯片-烧结材料-小基板”结构；所述有压烧结材料为压烧结银材料或有压烧结铜材料；所述小基板的厚度小于镂空框架的厚度；（3）在镂空框架的底面贴上临时连接材料，使用贴片机将“芯片-烧结材料-小基板”结构放置于镂空框架的镂空区域；临时连接材料对“芯片-烧结材料-小基板”结构进行固定；（4）准备第一环氧塑封料以及第一铜箔，使用真空快压机将第一环氧塑封料压合在镂空框架上，第一环氧塑封料紧密包裹SiCMOSFET芯片；随后，继续将第一铜箔压合至第一环氧塑封料的表面；（5）通过机械加工和激光加工技术，SiCMOSFET芯片上方的第一环氧塑封料和第一铜箔上开盲孔；（6）去除临时连接材料，并对结构进行双面电镀；双面电镀结束盲孔会被电镀铜填充，并和第一铜箔融合，小基板与镂空框架底部也会通过电镀形成的一层电镀铜层连接；（7）通过刻蚀在第一铜箔上刻蚀出所需电路图案；（8）通过真空热压机，继续在图案化的第一铜箔上压合一层第二环氧塑封料，同时第二环氧塑封料填充刻蚀后形成的凹槽；随后，继续在第二环氧塑封料的上表面压合一层第二铜箔；该第二铜箔可以用作散热片，或者通过第二铜箔与散热器连接；（9）通过刻蚀在镂空框架以及电镀铜层上刻蚀出图案；（10）使用阻焊材料填充刻蚀后形成的凹槽；（11）在图案化的电镀铜层和第二铜箔的表面进行化镀处理形成镀层，即得到SiCMOSFET板级封装半桥模块。

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百度查询： 复旦大学 一种SiC MOSFET板级封装半桥模块及其封装方法