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一种沟槽栅晶体管 

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申请/专利权人:芯联集成电路制造股份有限公司

摘要:本申请实施例涉及一种沟槽栅晶体管,包括:半导体材料层,包括彼此相对的第一表面和第二表面;栅极沟槽,从半导体材料层的第一表面延伸至半导体材料层的内部,栅极沟槽包括侧壁和底壁;栅介质层,位于栅极沟槽内且包括覆盖栅极沟槽的侧壁的第一介质部和第二介质部;第一电场屏蔽结构,位于栅极沟槽外且邻接第一介质部;体区,位于栅极沟槽外且邻接第二介质部,体区中靠近栅极沟槽的部分用于形成沟道区;其中,第一介质部的厚度大于第二介质部的厚度;如此,通过增加与非沟道区邻接的栅介质层的厚度,实现了输入电容的降低,避免增加器件的开关损耗,并且不影响器件的导通性能。

主权项:1.一种沟槽栅晶体管,其特征在于,包括:半导体材料层,包括彼此相对的第一表面和第二表面;栅极沟槽,从所述半导体材料层的第一表面延伸至所述半导体材料层的内部,所述栅极沟槽包括侧壁和底壁;栅介质层,位于所述栅极沟槽内且包括覆盖所述栅极沟槽的侧壁的第一介质部和第二介质部;第一电场屏蔽结构,位于所述栅极沟槽外且邻接所述第一介质部;体区,位于所述栅极沟槽外且邻接所述第二介质部,所述体区中靠近所述栅极沟槽的部分用于形成沟道区;漂移区,位于所述沟道区的下方;第二电场屏蔽结构,位于所述第一电场屏蔽结构的下方,且至少部分延伸至所述沟道区的下方,以使得沿所述栅极沟槽的侧壁的延伸方向,所述漂移区的位于相邻两所述第二电场屏蔽结构之间的部分的宽度小于所述沟道区的宽度,所述延伸方向指所述侧壁在所述半导体材料层的第一表面所在的平面上的延伸方向;其中,所述第一介质部的厚度大于所述第二介质部的厚度。

全文数据:

权利要求:

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