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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明涉及一种提高UIS能力和栅氧可靠性的分裂栅MOSFET器件及其制备方法，所述分裂栅MOSFET器件包括：漏极1、N+衬底2、N‑外延层3、电流扩展层4、P2区5、P1区6、P+区7、N+区8、JFET区9、栅氧化层10、栅极11、SiO2层间介质12、源极13。本发明不仅可以屏蔽栅氧电场，增强栅氧可靠性，还可以提高器件UIS耐量，而且工艺简单，成本低，具有良好的应用前景。
主权项：1.一种提高UIS能力和栅氧可靠性的分裂栅MOSFET器件，其特征在于：所述分裂栅MOSFET器件包括：漏极1、N+衬底2、N-外延层3、电流扩展层4、P2区5、P1区6、P+区7、N+区8、JFET区9、栅氧化层10、栅极11、SiO2层间介质12、源极13；漏极1、N+衬底2和N-外延层3由下至上依次层叠设置；JFET区9位于N-外延层3的上层；栅氧化层10位于部分N+区8、P1区和JFET区9上；栅极11位于栅氧化层10上；SiO2层间介质12位于栅氧化层10和栅极11上；源极13位于P+区7和部分N+区8和SiO2层间介质12上；P1区6位于JFET区两侧；P2区5位于JFET区两侧且位于所述P1区6下方，N+区8位于JFET区两侧且位于所述P1区6上方；P2区5、N+区8与P1区6边缘存在距离，呈阶梯状；P+区7位于远离JFET区的两侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种提高UIS能力和栅氧可靠性的分裂栅MOSFET器件及其制备方法
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