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一种埋入式高平坦性的TGV互连工艺及TGV互连结构 

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申请/专利权人:苏州森丸电子技术有限公司

摘要:本发明涉及一种埋入式高平坦性的TGV互连工艺及TGV互连结构,通过对玻璃晶圆表面和背面进行改性以及平坦化处理,解决了GV填充工艺中玻璃晶圆表面和背面均一性差和互连信赖性差的问题,提高了均一性,将RDL嵌入至玻璃晶圆内,降低了器件整体厚度10μm,同时激光诱导改性及湿法蚀刻制作TGV连通孔和RDL重布线层,再通过溅射种子层及在种子层上沉积导电材料以形成TGV和RDL,减少了传统工艺中需要进行两次掩膜、显影及蚀刻,有效的简化了工艺流程,提高了工作效率。

主权项:1.一种埋入式高平坦性的TGV互连工艺,其特征在于,包括以下步骤:S1、穿孔制作:清洗玻璃晶圆,对所述玻璃晶圆进行激光诱导打孔以形成若干穿孔;S2、布线层制作:对所述玻璃晶圆的平面进行激光改性形成用以连通若干所述穿孔的布线层;S3、湿法刻蚀:采用化学蚀刻对所述穿孔和所述布线层进行腐蚀以形成TGV连通孔及RDL重布线层;S4、种子层溅射:对所述TGV连通孔及RDL重布线层内进行种子层溅射;S5、导电互联层:在所述种子层上电化学沉积导电材料至所述玻璃晶圆的平面以形成TGV及RDL;S6、CMP平坦化:对所述种子层上沉积的导电材料进行平坦化处理,TGV互连结构包括玻璃晶圆、贯穿所述玻璃晶圆的连通孔及自所述玻璃晶圆表面向内凹陷的且连通所述TGV连通孔的RDL重布线层,所述TGV连通孔及RDL重布线层填充有TGV及RDL,所述TGV及RDL的表面与所述玻璃晶圆的表面共面。

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