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申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
摘要：本发明涉及一种超高平坦度硅片的生产工艺，所属硅片加工技术领域，如下操作步骤：第一步：进行切片加工硅片，并完成外圆倒角和磨片加工过程。第二步：将粗加工的硅片进行纯碱腐蚀。第三步：然后将硅片洗净，再采用的设备型号为KV‑J888进行多晶硅背封的工艺过程。第四步：硅片进行边缘抛光，接着在硅片背面旋涂一薄层蜡膜，利用蜡膜的粘合作用将硅片贴附至氧化铝或碳化硅陶瓷板，然后再进行单面抛光。第五步：单面抛光完成后，进行去蜡洗净及最终洗净。具有平坦度好和质量稳定性高的特点。降低硅片背面的微观起伏，解决了蜡膜涂覆不连续、贴附滑片的问题。同时由于多晶硅表面对光的无规散射，降低了硅片的背面光泽度。
主权项：1.一种超高平坦度硅片的生产工艺，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：进行切片加工硅片，并完成外圆倒角和磨片加工过程；第二步：将粗加工的硅片进行纯碱腐蚀，腐蚀前洗净的药液槽设置为：先加一次SC1，再添加一次SC1，冷水溢流；腐蚀后洗净的药液槽设置为：1、添加SC1，2、进行冷水溢流，3、添加HF，4、添加HF，5、进行冷水溢流；碱腐蚀采用的碱液为质量浓度为30％～49％的NaOH溶液或30％～51％的KOH溶液，腐蚀反应的温度为：70℃～98℃，反应时间根据目标去除量进行设定；第三步：然后将硅片洗净，再采用的设备型号为KV-J888进行多晶硅背封的工艺过程；硅片经过多晶硅背封后，硅片背面覆盖了一层多晶硅薄膜，晶体学特征不再明显，腐蚀坑被细小的硅晶粒所填充，光滑的腐蚀坑内壁被粗糙的多晶硅膜层所覆盖；第四步：硅片进行边缘抛光，接着在硅片背面旋涂一薄层蜡膜，利用蜡膜的粘合作用将硅片贴附至氧化铝或碳化硅陶瓷板，然后再进行单面抛光；第五步：单面抛光完成后，进行去蜡洗净及最终洗净。
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权利要求：
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