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摘要：本发明涉及氧化镓材料优化技术领域，特别涉及氧化镓微观缺陷电学特性调节方法及系统，包括使用明场成像模式获取的氧化镓材料的整体结构图像，基于整体结构图像确定缺陷敏感区域；获取检查区域的暗场图像、高分辨率图像；将采集的暗场图像和高分辨率图像输入到预构建的缺陷种类识别模型中，获取检查区域的缺陷种类。本发明无需采用显微系统遍历整个氧化镓材料，极大化地提高其缺陷检测效率，并且通过确定缺陷敏感区域，然后在采集缺陷敏感区域采集暗场图像、高分辨率图像，输入到训练好的预构建的缺陷种类识别模型中，进行缺陷识别，即无需人为判断缺陷种类，进一步提高其判断的效率和稳定性。
主权项：1.氧化镓微观缺陷电学特性调节方法，其特征在于，包括：采集氧化镓材料的TEM图像，所述TEM图像为明场图像，即使用明场成像模式获取的氧化镓材料的整体结构图像，基于整体结构图像确定缺陷敏感区域；获取氧化镓材料中与缺陷敏感区域对应的区域，标记为检查区域，获取检查区域的暗场图像与高分辨率图像；将采集的暗场图像和高分辨率图像输入到预构建的缺陷种类识别模型中，获取检查区域的缺陷种类，基于缺陷种类确定缺陷类型，其中缺陷类型包括可修复类型和不可修复类型；根据可修复类型，获取缺陷种类以及该缺陷种类对应的缺陷程度，计算生成缺陷修复系数；将采集的缺陷种类和缺陷修复系数输入预构建的掺杂参数推荐模型中，得到掺杂参数推荐集合标签，进而获取到掺杂参数推荐集合标签对应的掺杂参数推荐集合，根据掺杂参数推荐集合内的参数，对氧化镓材料进行掺杂调控，优化氧化镓材料电学特性。
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百度查询： 青岛华芯晶电科技有限公司 氧化镓微观缺陷电学特性调节方法
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