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摘要：本发明涉及一种用于SiCMOSFET的电学性能退化预测方法，分析栅源电压、温度、退化时长的三种影响因素，依据构成SiCMOSFET基本模型，分别构建零漏源电压下长沟道阈值电压的第一退化表征模型结构、零偏电场下迁移率的第二退化表征模型结构、以及阈值电压一阶体效应系数的第三退化表征模型结构，然后执行关于目标SiCMOSFET器件的高温栅偏实验，并进行模型训练，分别获得第一退化表征模型、第二退化表征模型、第三退化表征模型；最后将所构建三个退化表征模型嵌入到传统SiCMOSFET器件电学特性SPICE模型中，获得用于预测电学性能退化的SiCMOSFET模型，实现电学性能退化的高效预测。
主权项：1.一种用于SiCMOSFET的电学性能退化预测方法，针对目标SiCMOSFET器件接入电路的应用，对目标SiCMOSFET器件实现电学性能退化预测，其特征在于，包括如下步骤：步骤A.针对目标SiCMOSFET器件，构建零漏源电压VDS下长沟道阈值电压VTH0关于栅源电压VGS、温度Ta、退化时长t的第一退化表征模型结构；构建零偏电场下迁移率μ0关于栅源电压VGS、温度Ta、退化时长t的第二退化表征模型结构；构建获得阈值电压一阶体效应系数k1关于栅源电压VGS、退化时长t的第三退化表征模型结构，然后进入步骤B；步骤B.执行关于目标SiCMOSFET器件的高温栅偏实验，分别针对第一退化表征模型结构、第二退化表征模型结构、第三退化表征模型结构进行数据拟合，获得第一退化表征模型、第二退化表征模型、第三退化表征模型，然后进入步骤C；步骤C.将第一退化表征模型、第二退化表征模型、第三退化表征模型嵌入到传统SiCMOSFET器件电学特性SPICE模型中，获得目标SiCMOSFET器件所对应的SiCMOSFET模型，用于对目标SiCMOSFET器件进行电学性能退化预测。
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百度查询： 东南大学 一种用于SiC MOSFET的电学性能退化预测方法
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