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摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底、位于所述基底上的位线结构以及位于所述位线结构相对两侧的电容接触孔；隔离侧墙，所述隔离侧墙位于所述位线结构与所述电容接触孔之间，且位于所述位线结构相对两侧的所述隔离侧墙之间具有空隙，所述空隙位于所述位线结构上。本发明有利于减小半导体结构的寄生电容。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底、位于所述基底上的位线结构以及位于所述位线结构相对两侧的电容接触孔；隔离侧墙，所述隔离侧墙位于所述位线结构与所述电容接触孔之间，且位于所述位线结构相对两侧的所述隔离侧墙之间具有空隙，所述空隙位于所述位线结构上；所述空隙包括位于相对的所述电容接触孔之间的第二空隙，以及在平行于所述位线结构延伸方向上，位于相邻所述第二空隙之间的第一空隙；在垂直于所述基底表面的方向上，所述第二空隙的顶面高于所述第一空隙的顶面。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制作方法
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