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摘要：本发明公开一种应用于低功耗芯片的迟滞比较器电路，包括开环预放大电路，开环预放大电路用于将两个输入端的差分电压进行放大后输出到buffer电路，buffer电路是一个射随电路，将接收到的差分电压的共模电平降低一个PN结电压输出到过零比较器的输入，过零比较器的输出连接正反馈环路的输入，正反馈环路的输出反馈信号至开环预放大电路的输入端。本发明解决了现有技术中存在的比较器的迟滞随温度工艺等产生较大漂移，无法满足较高精度应用以及掉电后比较器输出状态无法保存的问题。

主权项：1.一种应用于低功耗芯片的迟滞比较器电路，其特征在于，包括开环预放大电路1，所述开环预放大电路1用于将两个输入端的差分电压进行放大后输出到buffer电路2，所述buffer电路2是一个射随电路，将接收到的差分电压的共模电平降低一个PN结电压输出到过零比较器3的输入，所述过零比较器3的输出连接正反馈环路4的输入，所述正反馈环路4的输出反馈信号至开环预放大电路1的输入端；所述开环预放大电路1包括第一负载电阻6和第二负载电阻7，所述第一负载电阻6的一端和第二负载电阻7的一端分别连接第一三极管8的集电极和第二三极管9的集电极；所述第一三极管8的发射集和第二三极管9的集电极均与第一电流源5的正极连接，所述第一电流源5的负极接地；所述第一三极管8的基集为开环预放大电路1的一个输入端HVP，所述第二三极管9的基集为开环预放大电路1的另一个输入端HVN；所述过零比较器3包括第五电阻16，所述第五电阻16的一端接电源，所述第五电阻16的另一端分别连接有第五三极管17的发射集和第六三极管18的发射集，所述第五三极管17的基集与VAN端连接，所述第六三极管18的基集与VAP端连接；所述第五三极管17的集电极分别与第七三极管23的集电极和第二二极管22的正极连接，所述第七三极管23的集电极与第七三极管23的发射极通过第二保持电容26连接，所述第七三极管23的发射极还与第二二极管22的负极连接；所述第六三极管18的集电极分别与第八三极管24的集电极和第一二极管21的正极连接，所述第八三极管24的集电极与第八三极管24的发射极通过第一保持电容25连接，所述第八三极管24的发射极还与第一二极管21的负极连接；所述第六三极管18的集电极还与第七三极管23的基集通过第二限流电阻20连接，所述第五三极管17的集电极还与第八三极管24的基集通过第一限流电阻19连接，所述第七三极管23的集电极与第八三极管24集电极相连并接地；所述正反馈环路4包括第六电阻29和第七电阻30，所述第六电阻29的一端与电源连接，所述第六电阻29的另一端分别与第一负载电阻6的另一端和第九三极管27的集电极连接，所述第七电阻30的一端与电源连接，所述第七电阻30的另一端分别与第二负载电阻7的另一端和第十三极管28的集电极连接，所述第九三极管27的发射集与第十三极管28的发射集均与第七电流源36的正极连接，所述第七电流源36的负极接地，所述第七电流源36的负极分别连接第十一三极管33的集电极和第十二三极管34的集电极；所述第十一三极管33的发射集与电源通过第四电流源31连接，所述第四电流源31的正极与电源连接，所述第十一三极管33的发射集还与第十三极管28的基集连接，所述第十一三极管33的基集与第六三极管18的集电极连接；所述第十二三极管34的发射集与电源通过第五电流源32连接，所述第五电流源32的正极与电源连接，所述第十二三极管34的发射集还与第九三极管27的基集连接，所述第十二三极管34的基集与第五三极管17的集电极连接。

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