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摘要：本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体而言，涉及一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装结构，在传统框架上增加了金层，基板与增强型氮化镓功率芯片的源极通过第一金属线和金层导通，实现与基板的封装结构和氮化镓功率芯片衬底的互连，氮化镓功率芯片的栅极与漏极通过第一金属线与金层连接，再通过第二金属线与管脚连接，氮化镓芯功率芯片的各极通过高压隔离区进行隔离，如此便可再不改变通用TO‑247‑4框架结构的前提下完成增强型氮化镓功率半导体器件在此框架上的封装。
主权项：1.一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装结构，其特征在于，包括框架1、基板2、金层3和氮化镓功率芯片4，还包括设置于所述框架1一侧的管脚5；所述框架1、基板2、金层3和氮化镓功率芯片4从下至上依次设置，所述氮化镓功率芯片4通过第一金属线6与所述金层3连接，所述金层3通过第二金属线7与所述管脚5连接。
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百度查询： 成都氮矽科技有限公司 深圳氮芯科技有限公司 一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装结构
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