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摘要：本申请涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置可包括：多条字线；选择线；沟道层，其通过字线延伸到选择线中；浮置栅极，其在沟道层和选择线之间围绕沟道层的侧壁；以及电荷捕获层，其包括第一部分和第二部分，其中，第一部分在沟道层和字线之间围绕沟道层的侧壁，并且第二部分在沟道层和选择线之间围绕浮置栅极。
主权项：1.一种半导体装置，该半导体装置包括：多条字线；选择线；沟道层，该沟道层通过所述字线延伸到所述选择线中；浮置栅极，该浮置栅极在所述沟道层和所述选择线之间围绕所述沟道层的侧壁；以及电荷捕获层，该电荷捕获层包括第一部分和第二部分，其中，所述第一部分在所述沟道层和所述字线之间围绕所述沟道层的所述侧壁，并且所述第二部分在所述沟道层和所述选择线之间围绕所述浮置栅极。
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百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体装置和半导体装置的制造方法
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