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摘要：具有第一半导体电路装置11的双向功率半导体开关1分别包括：第一Si或SiCMOSFET8和第二Si或SiCMOSFET12以及并联连接的第一IGBT9和第二IBGT14；控制和驱动器单元13，控制第一和第二硅或碳化硅MOSFET8、12以及第一和第二IGBT9、14，建议在双向功率半导体开关1的导通过程中，控制和驱动器单元13被实现为在第一步骤中接通IGBT9、12中的至少一个，并且在第一步骤之后的第二步骤中接通硅或碳化硅MOSFET8、14中的至少一个，和或在双向功率半导体开关1的导通状态下，控制和驱动器单元13被实现为将先前导通的硅或碳化硅MOSFET8、12和相应的IGBT保持在导通状态。
主权项：1.双向功率半导体开关1，包括：从所述双向功率半导体开关1的第一外导体端子3到所述双向功率半导体开关1的第二外导体端子4的至少第一外导体路径2，布置在第一外导体路径2中的第一半导体电路装置11，所述第一半导体电路装置11包括：至少第一硅或碳化硅MOSFET8和第二硅或碳化硅MOSFET12，至少第一IGBT9和第二IGBT14，所述第一IGBT9与所述第一硅或碳化硅MOSFET8并联连接，并且所述第二IGBT14与所述第二硅或碳化硅MOSFET12并联连接，控制和驱动器单元13，所述控制和驱动器单元13控制所述第一硅或碳化硅MOSFET8、所述第二硅或碳化硅MOSFET12、所述第一IGBT9和所述第二IGBT14，以及在所述双向功率半导体开关1的导通过程中，所述控制和驱动器单元13被实现为在第一步骤中接通所述第一IGBT9和所述第二IGBT14中的至少一个，并且在所述第一步骤之后的第二步骤中接通相应的硅或碳化硅MOSFET，和或在所述双向功率半导体开关1的导通状态下，所述控制和驱动器单元13被实现为至少将先前导通的硅或碳化硅MOSFET和相应的IGBT保持在导通状态。
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百度查询： 伊顿智能动力有限公司 双向功率半导体开关
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