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半导体装置及半导体装置的制造方法 

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摘要:提供一种集成度高的半导体装置10。半导体装置包括彼此电连接的第一及第二晶体管以及第一绝缘层110,其中,第一晶体管M2包括第一半导体层108、第二绝缘层106及第一至第三导电层,第二晶体管M1包括第二半导体层109、第三绝缘层106及第四至第六导电层,第一绝缘层具有位于第一导电层112a上且到达第一导电层的开口,第二导电层112b位于第一绝缘层上,第一半导体层与第一导电层的顶面、开口的内壁及第二导电层接触,第三导电层104位于第二绝缘层上的与开口的内壁重叠的位置,第三绝缘层位于第四导电层112b上,第二半导体层以与第四导电层重叠的方式位于第三绝缘层上,并且,在剖视时,第五导电层116a接触于第二半导体层的侧端部的一个顶面,第六导电层116b接触于与一个侧端部相对的侧端部的另一个顶面。

主权项:1.一种半导体装置,包括:第一晶体管;第二晶体管;以及第一绝缘层,其中,所述第一晶体管包括第一半导体层、第二绝缘层及第一导电层至第三导电层,所述第二晶体管包括第二半导体层、第三绝缘层及第四导电层至第六导电层,所述第一绝缘层具有设置在所述第一导电层上且到达所述第一导电层的开口,所述第二导电层设置在所述第一绝缘层上,所述第一半导体层与所述第一导电层的顶面、所述开口的内壁及所述第二导电层接触,所述第三导电层以隔着所述第二绝缘层在所述第一半导体层上具有与所述开口的内壁重叠的区域的方式设置,所述第三绝缘层设置在所述第四导电层上,所述第二半导体层以具有与所述第四导电层重叠的区域的方式设置在所述第三绝缘层上,所述第五导电层接触于所述第二半导体层的第一侧端部的侧面及顶面,所述第六导电层接触于所述第二半导体层的与所述第一侧端部相对的第二侧端部的侧面及顶面,并且,所述第一晶体管的源电极、漏电极和栅电极中的任一个与所述第二晶体管的源电极、漏电极和栅电极中的任一个电连接。

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百度查询: 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法

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