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申请/专利权人：重庆万国半导体科技有限公司
摘要：本实用新型公开了一种沟槽元胞结构及MOSFET、IGBT功率半导体器件，沟槽元胞结构包括硅衬底，所述硅衬底的背面设置有背面金属层；所述硅衬底的正面从下至上依次设置有漂移区、体区、介质层和正面金属层；所述体区间隔设置有深沟槽区和浅沟槽区，所述深沟槽区和浅沟槽区均设置有屏蔽电极和欧姆接触结构，所述深沟槽区和浅沟槽区之间设置有肖特基接触势垒。本实用新型中，通过在深沟槽区和浅沟槽区之间设置肖特基接触势垒，可以减少正向导通时阳极载流子的注入效率，降低反向恢复电荷，减小器件的反向恢复时间，提升电流变化率的极限参数值。
主权项：1.一种结合肖特基势垒的沟槽元胞结构，其特征在于：包括硅衬底，所述硅衬底包括相对设置的正面和背面，所述硅衬底的背面设置有背面金属层；所述硅衬底的正面从下至上依次设置有漂移区、体区、介质层和正面金属层；所述漂移区为第一导电类型，所述体区为第二导电类型；所述体区间隔设置有深沟槽区和浅沟槽区，所述深沟槽区和浅沟槽区均设置有屏蔽电极和欧姆接触结构，所述深沟槽区和浅沟槽区之间设置有肖特基接触势垒。
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权利要求：
百度查询： 重庆万国半导体科技有限公司 沟槽元胞结构及MOSFET、IGBT功率半导体器件
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