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申请/专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种功率器件、功率器件的制作方法，功率器件包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，外延层包括漂移层，漂移层配置为第一导电类型；导柱，配置为第二导电类型，导柱位于外延层内；体区，配置为第二导电类型，体区位于外延层的背离衬底侧的表面，以及隔离层，配置为第一导电类型，隔离层位于体区与导柱之间，隔离层的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度。根据本发明实施例的功率器件，隔离层的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度，能够降低集电极与发射极之间的饱和电压，提高关断速度。
主权项：1.一种功率器件，其特征在于，包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括漂移层，所述漂移层配置为第一导电类型，所述外延层设有第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽，所述第一沟槽位于所述漂移层，所述第二沟槽和所述第三沟槽自所述外延层的背离所述衬底侧的表面沿纵向凹陷，横向相邻的所述第二沟槽之间间隔设置有多个所述第三沟槽；绝缘层，覆盖所述外延层的背离所述衬底侧的表面及所述第二沟槽的内壁、所述第三沟槽的内壁；栅极，位于所述第二沟槽内；冗余发射极，位于所述第三沟槽内；导柱，配置为第二导电类型，所述导柱容纳于所述第一沟槽内；体区，配置为所述第二导电类型，所述体区位于所述外延层的背离所述衬底侧的表面，所述第二沟槽纵向贯穿所述体区；发射区，配置为第一导电类型的重掺杂区，所述发射区位于所述体区的背离所述衬底侧的表面，并且围绕于所述第二沟槽的横向的至少部分周边；接触区，配置为所述第二导电类型的重掺杂区，所述接触区位于所述体区；发射极互连，位于所述绝缘层上，所述发射极互连经由贯穿所述绝缘层的接触孔与所述发射区、所述接触区以及所述冗余发射极耦合；以及隔离层，配置为所述第一导电类型，所述隔离层位于所述体区与所述导柱之间，所述隔离层的掺杂浓度大于所述漂移层的掺杂浓度，所述第三沟槽均沿纵向至少凹陷至所述隔离层，使得所述冗余发射极沿纵向至少延伸至所述隔离层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 瑞能半导体科技股份有限公司 功率器件、功率器件的制作方法
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