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申请/专利权人：浙江众凌科技有限公司

摘要：本发明公开了一种超精密金属掩膜版用Invar蚀刻深宽比的调控方法，具体涉及超精密金属掩膜版技术领域，包括如下步骤：步骤S1：选取超精密金属掩膜版；步骤S2：将超精密金属掩膜版放入化学气相沉积室内在其表面上形成一层氧化膜；步骤S3：对超精密金属掩膜版进行压膜和曝光操作；步骤S4：将曝光后的超精密金属掩膜版放入到显影液中进行显影工作，形成干膜；步骤S5：表调液制备。本发明通过调控超精密金属掩膜版表面致密氧化膜的厚度，达到调控蚀刻深宽比的目的，开口区无氧化膜附着，非开口区附着氧化膜，一定范围内对蚀刻液存在一定的斥力，一定程度上减缓了横向侧蚀行为，达到提高蚀刻因子的目的。

主权项：1.一种超精密金属掩膜版用Invar蚀刻深宽比的调控方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：选取超精密金属掩膜版；步骤S2：将超精密金属掩膜版放入化学气相沉积室内在其表面上形成一层氧化膜；步骤S3：对超精密金属掩膜版进行压膜和曝光操作；步骤S4：将曝光后的超精密金属掩膜版放入到显影液中进行显影工作，形成干膜；步骤S5：表调液制备；在步骤S5中，表调液制备包括以下步骤：步骤S51，准备丙三醇20-24份、草酸钾6-10份、三乙醇胺7-11份、皂角液10-14份和三氮唑类缓蚀剂8-12份；步骤S52，在不锈钢搅拌釜中加入部分去离子水，利用蒸汽对不锈钢搅拌釜进行加热，加热温度设置为40-45℃；步骤S53，每隔5-10min依次加入丙三醇、草酸钾和三乙醇胺，在此过程中，对溶液进行搅拌处理，搅拌转速设置为80-100rmin；步骤S54，每隔15-20min依次加入皂角液和三氮唑类缓蚀剂，在此过程中，对溶液进行搅拌处理，搅拌转速设置为120-140rmin；步骤S55，待溶液冷却后，最终获取表调液；步骤S6：使用表调液去除从干膜开口区裸露出来的氧化膜；在步骤S6中，干膜开口区裸露出来的氧化膜去除包括以下步骤：步骤S61，计算干膜开口区裸露出来的氧化膜的面积大小；步骤S62，根据干膜开口区裸露出来的氧化膜的面积大小用滴管吸取适量表调液；步骤S63，将表调液滴入到干膜开口区裸露出来的氧化膜上；步骤S64，擦除清理下来的氧化膜，并对清理部位进行烘干处理；步骤S65，采用热烘的方式来对清理部位进行烘干，烘干温度设置为30-40℃；步骤S7：蚀刻处理。

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