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申请/专利权人：河南东微电子材料有限公司
摘要：本发明涉及陶瓷靶材技术领域，具体涉及一种IGZO靶材的制备方法，包括以下步骤：步骤1，分别制备由In2O3粉体、ZnO粉体、Ga2O3粉体混合形成的第一批次纳米粉体浆料和第二批次纳米粉体浆料，所述第一、二批次纳米粉体浆料固含量分别为55‑67wt％、46‑55wt％；步骤2，将第一批次浆料和第二批次浆料干燥造粒，制备平均粒径不同的第一批次颗粒和第二批次颗粒；步骤3，将所述第一批次颗粒与所述第二批次颗粒混合后采用模压‑冷等静压制备得到靶材素坯；步骤4，将步骤3所得靶材素坯采用烧结工艺制备得到IGZO靶材。该制备方法通过减少颗粒之间的间隙，提升松装密度，进而提升静压后的素坯密度及烧结后的靶材致密度。
主权项：1.一种IGZO靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，采用摩尔质量比例为1:2:1的In2O3粉体、ZnO粉体、Ga2O3粉体混合后采用球磨工艺制备形成第一批次浆料和第二批次浆料，其中，所述第一批次浆料固含量为55-67wt％，所述第二批次浆料固含量为46-55wt％；步骤2，分别将所述第一批次浆料和所述第二批次浆料干燥造粒，制备得到平均粒径不同的第一批次颗粒和第二批次颗粒，其中，所述第一批次颗粒的平均粒径小于等于21μm，所述第二批次颗粒的平均粒径大于等于3μm；步骤3，将所述第一批次颗粒与所述第二批次颗粒混合后采用模压-冷等静压制备得到靶材素坯；步骤4，将所述靶材素坯采用烧结工艺制备得到IGZO靶材。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 河南东微电子材料有限公司 一种IGZO靶材的制备方法
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