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申请/专利权人：南京先锋材料科技有限公司
摘要：本发明公开了高电子迁移率氧化物IGZO溅射靶材的制备工艺、靶材及应用；将In2O3、Ga2O3和ZnO粉末置入行星混粉装置混合均匀，形成混合物；其中，所述In2O3、所述Ga2O3和所述ZnO粉末的纯度均≥3.5N～4.5N；其中，所述In2O3、所述Ga2O3和所述ZnO粉末的粒径为D50～35–50μm；其中，所述粒径的尺寸分布控制在D90‑D10～20μm。S2、将所述混合物置入具有防止氧化物被还原层的石墨模具中定型；由于避免了粘结剂的使用，本发明能够制备出纯度更高的IGZO靶材。在传统工艺中，粘结剂的使用往往会引入杂质，降低靶材的纯度。而本发明通过选择高纯度原料，并在无粘结剂的情况下进行混合和烧结，确保了靶材的高纯度。
主权项：1.高电子迁移率氧化物IGZO溅射靶材的制备工艺，其特征在于，包括如下制备步骤：S1、将In2O3、Ga2O3和ZnO粉末置入行星混粉装置混合均匀，形成混合物；S2、将所述混合物置入具有防止氧化物被还原层的石墨模具中定型；S3、将所述石墨模具的内腔抽至真空状态、加热并施加压力；S4、减小所述压力，停止所述加热，让所述石墨模具自然冷却至预设阈值以下；S5、解除所述真空状态，让所述石墨模具自然冷却至室温；S6、从所述石墨模具中取出坯件，去除所述坯件的表面材料，得到IGZO块状靶材材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京先锋材料科技有限公司 高电子迁移率氧化物IGZO溅射靶材的制备工艺、靶材及应用
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