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申请/专利权人：业纳光学系统有限公司
摘要：本发明涉及一种制备蚀刻掩模的方法100，其中该方法100包括：设置衬底的步骤105；施加金属层的步骤110，其中该金属层包括至少一种过渡金属和或铝或由至少一种过渡金属和或铝形成；施加掩模层的步骤115；结构化掩模层的步骤120，其中该金属层暴露在至少一个处理区域中；用至少部分地包括第四族元素的第四族元素层涂覆衬底的步骤125，其中过渡金属或铝和第四族元素之间的相互扩散区在处理区域中、在金属层与第四族元素层之间的界面处形成；去除掩模层的步骤130；以及选择性蚀刻金属层的步骤135，其中衬底暴露在除处理区域之外的至少一个蚀刻区域中，并且金属层至少部分地维持在处理区域中。
主权项：1.一种制备蚀刻掩模的方法（100），其中所述方法（100）包括以下步骤（105,110,115,120,125,130,135）：设置（105）衬底（300）；将具有金属层厚度的金属层（305）施加（110）到所述衬底（300）上，其中所述金属层（305）包括至少一种过渡金属和或铝，或者由至少一种过渡金属和或铝形成；将具有掩模层厚度的至少一个掩模层（310）施加（115）到涂覆有所述金属层（305）的所述衬底（300）上；结构化（120）所述掩模层（310），其中所述金属层（305）暴露在至少一个处理区域（320）中；在结构化（120）所述掩模层（310）之后，用具有第四族元素层厚度的第四族元素层（325）涂覆（125）所述衬底（300），所述第四族元素层（325）至少部分地包括第四族元素，其中在所述处理区域（320）处、在所述金属层（305）与所述第四族元素层（325）之间的界面处形成相互扩散区（330），其中所述第四族元素层（325）包括硅或由硅形成，并且所述相互扩散区（330）作为过渡金属硅化物层或硅化铝层存在；去除（130）所述掩模层（310）；以及选择性蚀刻（135）所述金属层（305），其中所述衬底（300）暴露在除所述处理区域（320）之外的至少一个蚀刻区域（335,340）中，并且所述金属层（305）至少部分地维持在所述处理区域（320）中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 业纳光学系统有限公司 制备蚀刻掩模的方法、在衬底中蚀刻结构的方法、第四族元素层的用途以及制备掩模的结构
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