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申请/专利权人：上海罗菱工业技术有限公司
摘要：本发明公开了一种精密半导体掩膜材料的轧制方法和装置，涉及半导体掩膜材料轧制技术领域，用于对原料为半导体掩膜材料的精密带材进行轧制，其包括以下步骤：1、编制轧制工艺；2、进行辊系直径配置；3、配置辊型；4、预设定轧制位置；5、设定轧制厚度、张力以及轧制油冷却量；6、按前5步所设定的参数完成轧制，以获得成品。轧制装置采用精密二十辊轧机，本发明实现了原料宽度为625mm时的半导体掩膜材料的轧制，且具有轧制过程稳定、板型良好、达到产品生产稳定的效果。
主权项：1.一种精密半导体掩膜材料的轧制装置，其特征在于，用于对原料为半导体掩膜材料的精密带材进行轧制，所述轧制装置采用精密二十辊轧机，所述精密二十辊轧机包括第一中间辊（1）、第二中间辊、径向调整机构以及喷油机构，其中：所述精密二十辊轧机对应的相关辊系直径配置范围为：工作辊（2）：41.23mm～76.05mm；第一中间辊（1）：68.10mm～82.06mm；驱动辊：120.50mm～134.50mm；背撑轴承：225mm；所述第一中间辊（1）的辊型为锥型，第二中间辊的辊型为平辊；所述第一中间辊（1）的有效平坦度预设定为85%的材料宽度；所述径向调整机构的凸度值随着精密带材的宽度减小而增大；所述精密二十辊轧机进行轧制时的压下量分配为：第一道次压下量分配为15.6％～17％，除第一道次以外的其他道次压下量分配为10%～13.2％，且每道次递减；各道次的单位张力为12.55～25.38kgmm2，且按照压下量逐渐递增。
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权利要求：
百度查询： 上海罗菱工业技术有限公司 一种精密半导体掩膜材料的轧制方法和装置
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