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申请/专利权人：南京邮电大学;镇江南京邮电大学研究院
摘要：本申请公开了一种无掩膜制备氧化锌阵列的方法，属于半导体工艺技术领域;本申请采用磁控溅射与激光干涉相结合的方式，在磁控溅射沉积薄膜的同时，利用激光干涉在衬底表面形成图案化的光强分布，从而使衬底各位置产生与光强相对应的热梯度分布;激光通过改变表面吸附原子动力学从而诱导表面形貌生长;与传统制备图案化阵列微纳结构的方法相比，本申请具有工艺简单、成本低、制备周期短、无杂质、环境友好、无需光刻胶、无掩膜、图样可调等优点;通过本发明制备的周期性图案化纳米结构可以具有发光，滤波，双极性晶体管特性，可广泛用于光电显示、透明电极、光伏、探测器、压电传感器、低维集成器件制备等领域。
主权项：1.一种无掩膜制备氧化锌阵列的方法，其特征在于，制备方法具体步骤为：步骤一：选用纯度为99.999％的纯氧化锌靶材，磁控溅射电源使用射频磁控溅射源，所用的硅衬底尺寸为10mm×10mm；步骤二：将纯氧化锌靶材和硅衬底放入真空腔内，利用激光干涉诱导磁控溅射制备图案化薄膜，设置硅衬底的初始温度为室温，靶基距为68mm，溅射气体采用的是纯度为99.99%的Ar，溅射时的工作压强为0.15Pa，溅射功率为20-40W，预溅射时间为1min；步骤三：在薄膜沉积的同时利用稳态激光源Laser经分光镜产生相干光照射衬底表面，激光波长为477nm,功率为10-40mW，照射时间为15min-30min；步骤四：通过应用激光干涉原理，在硅衬底表面形成了具有周期性的图案光斑；在这些图案位置，由于激光能量分布的特性，氧化锌靶材的纳米粒子在光斑区域的薄膜成核速度得到加快，最终促使突出的阵列结构的形成。
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权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 镇江南京邮电大学研究院 一种无掩膜制备氧化锌阵列的方法
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