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申请/专利权人：赣南医科大学
摘要：本发明提供一种用于去除半导体表面残胶的方法及其应用。所述方法包括：S1：对具有残胶的半导体材料进行表面撕胶处理，包括在半导体材料表面覆设胶水层，所述胶水层至少覆盖残胶的位置，在所述胶水层干燥的状态下将所述胶水层撕去；S2：对经过S1处理的半导体材料进行刮擦处理；S3：将经过S2处理的半导体材料置于第一清洗剂中并使第一清洗剂没过半导体材料具有残胶的表面，从而对半导体材料进行清洗，获得表面基本洁净的半导体材料；S4：对经过S3处理的半导体材料进行退火处理，获得表面洁净的半导体材料。本发明提供的方法能够彻底清除半导体材料表面的残胶以及其他杂质，且不造成半导体材料的损伤。
主权项：1.一种用于去除半导体材料表面残胶的方法，其特征在于，包括：S1：对具有残胶的半导体材料进行表面撕胶处理，包括在半导体材料表面覆设胶水层，所述胶水层至少覆盖残胶的位置，在所述胶水层干燥的状态下将所述胶水层撕去；S2：对经过S1处理的半导体材料进行刮擦处理；S3：将经过S2处理的半导体材料置于第一清洗剂中并使第一清洗剂没过半导体材料具有残胶的表面，从而对半导体材料进行清洗，获得表面基本洁净的半导体材料；S4：对经过S3处理的半导体材料进行退火处理，获得表面洁净的半导体材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 赣南医科大学 一种用于去除半导体表面残胶的方法及其应用
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