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申请/专利权人：广州增芯科技有限公司
摘要：本发明提供了一种压阻式MEMS压力芯片的制备方法，包括：提供一SOI晶圆，SOI晶圆的器件层形成有压敏电阻结构及电性连接结构，器件层表面形成有图案化的钝化层，露出至少部分电性连接结构；在钝化层的表面形成临时键合介质，将SOI晶圆的器件层的一面与一玻璃晶圆键合；减薄步骤S12键合后的SOI晶圆的衬底面，在减薄的衬底面形成有共晶键合介质；提供一键合晶圆，键合晶圆的一面形成有空洞；在形成有空洞的键合晶圆的一面形成共晶键合介质；将第二部分形成有空洞的键合晶圆的一面与第一部分中SOI晶圆的衬底面做共晶键合并去除玻璃晶圆，形成压敏电阻对应的空腔。本发明提供的技术方案解决了压阻式MEMS压力芯片的测量的量程有限的问题。
主权项：1.一种压阻式MEMS压力芯片的制备方法，其特征在于，包括：制备第一部分，包括：步骤S11：提供一SOI晶圆，所述SOI晶圆的器件层形成有压敏电阻结构及电性连接结构，所述器件层表面形成有图案化的钝化层，露出至少部分电性连接结构；步骤S12：在所述钝化层的表面形成临时键合介质，将所述SOI晶圆的器件层的一面与一玻璃晶圆键合；步骤S13：减薄所述步骤S12键合后的SOI晶圆的衬底面，在所述减薄的衬底面形成有共晶键合介质；制备第二部分，包括：步骤S21：提供一键合晶圆，所述键合晶圆的一面形成有空洞；步骤S22：在形成有空洞的所述键合晶圆的一面形成共晶键合介质；制备第三部分，包括：步骤S31：将第二部分形成有所述空洞的键合晶圆的一面与第一部分中所述SOI晶圆的衬底面做共晶键合并去除所述玻璃晶圆，形成所述压敏电阻对应的空腔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州增芯科技有限公司 压阻式MEMS压力芯片的制备方法与压阻式MEMS压力芯片晶圆
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