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申请/专利权人：麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要：本申请实施例公开了一种MEMS压电谐振器的制造方法及MEMS压电谐振器。其中，该MEMS压电谐振器的制造方法包括提供一SOI晶圆，SOI晶圆包括由下至上依次层叠设置的第一绝缘层、衬底、第二绝缘层和器件层；在器件层由下至上依次形成第一电极层、压电层和暴露部分压电层的第二电极层；图案化第一电极层、压电层和第二电极层，以形成第一电极、压电结构和第二电极，并暴露部分器件层；对暴露的器件层进行刻蚀，形成第一释放口和第二释放口；通过第一释放口和第二释放口去除部分第二绝缘层，形成MEMS压电谐振器。本方案通可以降低MEMS压电谐振器的制造成本。
主权项：1.一种MEMS压电谐振器的制造方法，其特征在于，包括：提供一SOI晶圆，所述SOI晶圆包括由下至上依次层叠设置的第一绝缘层、衬底、第二绝缘层和器件层；在所述器件层由下至上依次形成第一电极层、压电层和暴露部分所述压电层的第二电极层；图案化所述第一电极层、所述压电层和所述第二电极层，以形成第一电极、压电结构和第二电极，并暴露部分所述器件层；对暴露的所述器件层进行刻蚀，形成第一释放口和第二释放口；通过所述第一释放口和所述第二释放口去除部分所述第二绝缘层，形成MEMS压电谐振器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司 MEMS压电谐振器的制造方法及MEMS压电谐振器
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